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8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1513NT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 135 - 175 MHz
155 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
50
0
0
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
30
60
40
152
3
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 22. Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
13
12
17
Figure 23. Drain Efficiency versus Output
Power
2
GAIN (dB)
0
Figure 24. Output Power versus
Biasing Current
6
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 25. Drain Efficiency versus
Biasing Current
80
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 26. Output Power versus
Supply Voltage
0
8
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 27. Drain Efficiency versus
Supply Voltage
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
20
91610 1511
14
8
10 14 1511 13 1612
9
13
0
40
60
60
500 500100
300 600400
0
5
80
2
4
3
14
18
200
50
4
16
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
200 600300
400
100
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
12
3
1
65
55
2
1
Eff, DRAIN EFFICIENCY (%)
50
70
155 MHz
135 MHz
175 MHz
20
10
135 MHz
175 MHz
155 MHz
135 MHz
175 MHz
155 MHz
135 MHz
175 MHz
155 MHz
135 MHz
175 MHz
155 MHz
135 MHz
175 MHz
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 19.5 dBm
Pin
= 19.5 dBm
IDQ
= 50 mA
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 19.5 dBm
Pin
= 19.5 dBm
IDQ
= 50 mA
5
15
4
70
5
4
3
VDD
= 12.5 Vdc
VDD
= 12.5 Vdc
70
75
30
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